三星、SK 海力士及韩国政府周一宣布计划投资 5900 亿美元建设四家芯片制造厂，目标是在五年内将韩国 DRAM 产量翻倍。三星和 SK 海力士将各自建造两座工厂，总投资 800 万亿韩元（5180 亿美元），这是政府更广泛半导体计划的一部分。

两家公司股价收复早盘失地，但 DRAM 内存 ETF 在美国盘前交易中下跌 1.4%。Stocktwits 上对 DRAM 的情绪仍然极度看涨。