据《朝鲜日报》报道，7月27日，三星电子宣布计划在其第八代高带宽存储器（HBM5）的基础芯片上采用2纳米工艺。该公司表示，HBM5的数据处理速度将比当前HBM4E芯片快超过50%，将采用2nm环绕栅（Gate-All-Around）基础芯片，并通过改进的穿通硅通孔（TSVs）提升速度与功耗效率。