据韩联社 Infomax 报道，三星电子于 8 月 4 日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的 FMS 2026 上发布了下一代 3D 内存架构 zHBM 和 zNAND-O。该公司在约 20 坪的展览空间内展示了约 30 款内存产品。zHBM 将 HBM 垂直堆叠在 AI 加速器上方，性能最高可达 HBM5 的 8 倍。zNAND-O 是一种高性能 NAND 闪存解决方案，结合了 V-NAND 和 TSV 技术，可针对端侧 AI 环境进行优化。