据 SK 海力士称，该公司于 8 月 27 日（当地时间）在印第安纳州西拉斐特市为其首座美国 HBM 生产设施奠基，总投资超过 40 亿美元。该设施将在 2028 年 10 月前完成洁净室建设，并于 2029 年下半年开始量产 HBM4E 芯片，创造约 1,000 个就业岗位。

SK 海力士计划将韩国生产的先进晶圆运往印第安纳州工厂进行封装和测试，然后供应给美国客户，通过整合韩美生产系统，加强美国的 AI 半导体供应链。该公司还与普渡大学签署了一份谅解备忘录，共同开发下一代封装和先进系统集成技术。