据 ETNews 报道，三星电子于 9 月 1 日公布了下一代内存战略。该公司计划使 HBM5 的性能达到 HBM4E 的 2 倍，而其后继产品 zHBM 的性能将达到 HBM4E 的 8 倍。针对大型语言模型应用，三星正在开发 zNAND-O，旨在实现 10 倍于 DRAM 的位密度，同时将读取带宽和能效提升至 NAND 闪存的 7 倍。zNAND-O 的量产样品计划于 2028 年推出。