据《朝鲜商报》报道，SK 海力士的 1c nm DRAM 市场份额预计将在 2027 年第一季度达到 35%，超过 1b 节点约 33% 的市场份额，并首次成为主流工艺。该公司的 1c nm 市场份额已从 2026 年第一季度的约 10% 增长至第二季度的 13%，预计 2026 年第三季度将达到约 24%，第四季度约为 34%。1c nm 工艺节点是下一代存储应用中用于 HBM（高带宽内存）堆叠的核心技术。